国内首家量产六英寸SiC MOS厂家,提供650V~3300V全系列SiC MOS产品

2021-11-05 世强
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与传统的硅器件相比,SiC器件可以承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。爱仕特专注于第三代半导体SiC MOS芯片设计、功率模块的生产制造。已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOS产品,并建立起车规级的SiC MOS模块工厂。

爱仕特是国内首家量产六英寸SiC MOS的厂家,晶圆流片良率高达91%。其SiC MOS芯片最高耐压3300V,单芯片最大电流可达120A,最低内阻15毫欧,高雪崩耐量,100% UIS测试,并按照AEC-Q101标准测试,满足车规级要求。SiC MOS模块的结温高达175℃,正温度系数,采用氮化铝绝缘基板,有较高的导热性和绝缘性,集成负温度系数传感器,绝缘电压达2.5KV,其中的第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗。

10月12日,爱仕特与世强硬创平台达成合作,授权世强全线代理旗下SiC MOS芯片和SiC MOS模块,相关产品、技术资料已上线平台,更多详情在平台搜索即可获取。

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