【产品】1200V SiC MOSFET采用TO220-3封装,导通电阻典型值750mΩ,可用于UPS电源

2021-11-18 瞻芯电子
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瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750O3 ,漏源电压为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,推荐使用的开通栅源电压为20±0.5 V,采用TO220-3封装,能够用于UPS电源。

图 1 封装图

特点

⚫ 高耐压

⚫ 高速、寄生电容小

⚫ 高工作结温

⚫ 快速恢复体二极管


电气特性

表 1

应用

⚫ 光伏逆变器

⚫ UPS 电源

⚫ 高压DC/DC变换器

⚫ 开关电源

 

封装尺寸

图 2

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本文由三年不鸣转载自瞻芯电子,原文标题为:IV1Q12750O3 – 1200V 750mΩ SiC MOSFET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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